Центр коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонентная база» (ЦКП «МСТ и ЭКБ») НИУ МИЭТ одержал победу в конкурсном отборе по поддержке и развитию центров коллективного пользования научным оборудованием в целях реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научнотехнологического комплекса России на 2014-2020 годы». Об этом сообщается на сайте вуза. Всего было определено 22 победителя из 117 поданных заявок.
В проекте примут участие лаборатории вузов, заинтересованных в проведении исследований в ЦКП: РТУ МИРЭА, Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева, МГТУ «СТАНКИН», ТУСУР, Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, НИЯУ «МИФИ».
В рамках совместной работы предусматривается развитие приборно-технологической базы ЦКП, расширение перечня и комплексности оказываемых услуг, развитие методического и метрологического обеспечения, также будут проводиться мероприятия по подготовке кадров, повышению открытости и доступности ЦКП. Руководителем проекта – ректор МИЭТ Владимир Беспалов.
Проект по развитию ЦКП «МСТ и ЭКБ» будет реализовывать:
- комплексное развитие ЦКП для эффективной поддержки реализации научных и (или) научно-технических проектов, вне зависимости от областей (отраслей) знаний, направленных на получение результатов, необходимых для реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации;
- существенный рост загрузки оборудования ЦКП, в том числе за счет оказания услуг для реализации проектов ведущим российским и (или) зарубежным научным группам и коллективам;
- расширение перечня и комплексности оказываемых услуг, а также круга пользователей и развитие научной коммуникации организации, в которой создан такой ЦКП, с ведущими российскими и зарубежными научными центрами и организациями;
- обеспечение возможности сквозного проектирования в области нано- и микроэлектроники, электронной компонентной базы, устройств сенсорики и радиоэлектронной аппаратуры;
- обеспечение возможности экстракции параметров элементов интегральных микросхем непосредственно на пластине диаметром до 200 мм, в том числе в СВЧ диапазоне и создания моделей элементов для дальнейшего использования в системах автоматизированного проектирования за счет приобретения зондовой станции, дорогостоящего специализированного измерительного оборудования и программного обеспечения.